SJ 50033.50-1994 半导体分立器件QL73型硅三相桥式整流器详细规范
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ID： |
03A4DB546BB743C6A57FC7ABCC11BF89 |
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文件大小(MB)： |
0.43 |
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页数： |
9 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.50-94,半导体分立器件QL73型,硅三相桥式整流器详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type QL73,silicon three phase full wave bridge rectifier,1994-0%30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,QL73型硅三相桥式整流器,详细规范,ST 5師33.5g94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type QL73,silicon three phase full wave bridge rectifier,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 QL73型硅三相桥式整流器（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33〈半导体分立器件总规范）L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军,分,别用字母GP和GT表示,2引用文件,GJB 4023-86半导体分立器件 第2部分:整流二级管,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜材,引出端表面应为锡层,3.2.2 器件结构,器件釆用二极管管芯直接烧结在基片上装入外壳,用环氧树脂灌封,利用金属底板散热,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 !995-12-0I实施,SJ 50033.50-94,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合本规范图1的规定,图1 QL73型硅三相桥式整流器外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,注」）Tc >55ヒ,按286mA/じ线性降额,型号,^RWM,CV),Io °,Tc = 55匕,(A),『FSM,Tc - 55匕,tp = 10ms,[A),Top,(匕),T耽,（匕）,Tm低电压,(V) (Pa),QL73D 200,QL73F 400,20 120 -55- + 125 '-55~ + 130 125 2400,QL73H 600,QL73K 800,3.3.2 主要电特性（Ta = 25匕）,2,SJ 50033.50-94,やN 参数（单管） fRl （单管） 珀（単管）,、极二 20A Vr - VjWM Tk = 100V,Vr = Vrwm,、、塚,梢,(V) （油） （院）,型号 、最大值最大值最大值,QL73D .K 1.5 10 200,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4023和本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GIB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检险,鉴定检险应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,筛选,（见GJB 33的表2）,测 试 或 试 验,3热冲击,（温度循环）,除低温为ー55C ,循环!0次外,其余同试验条件Bo,4恒定加速度不要求,5密封不要求,6髙温反偏Ta = 125V,7中间参数测试んい Vfm,8工作热循环见本规范4.5.2,循环为720次,9最后测试,本规范表1的A2分蛆,ュ卬=初始值的100%或取较大者;,△% = iO.lVo,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检脸应按GJB 33和本规范表2的规定进行,3,SJ 50033,50-94,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,4.5.2 工作热循环,进行本试验时,器件的交流端输入50Hz三相正弦波电任,保持器件的输出电流为20A、管,売温度为55c°逋电时间/ 138min,断电时间t2>2min为一个循环,断电期间便管壳温度下,降20c后,开始下ー个循环,4.5.3 绝缘强度,金属外壳接地,所有线端子接到直流电源髙压端,在壳和接线端子之间施加电压2000V,并保持10s,反向电流不超过IOjiA为合格,表1 A组检验,检验或试验,GB 4023,LTPD 符号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,A!分组,外观及机械检驗GJB 128,2071,5,A2分组,正向电压（单管）,反向电流（单管）,W -123,WT.4J,/fm = 20 A,“ニ 300丒s,占空因数42%,炉Xホ^RWM,5,Vfm,1R2,L5,W,V,限,A3分组,高温工作,反向电流（单管） IV-1.4.1,ta = ioor,Vn = Vrwm,5.,ム2 200 的,A6分组,浪涌电流（单管）,最后测试,见本规范,附录A,Tc = 55 七,施加……
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